Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
23 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
117 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
110 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 73 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
9.65mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
4.83mm
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
3.514,05 TL
70,281 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
4.216,86 TL
84,337 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
50
3.514,05 TL
70,281 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
4.216,86 TL
84,337 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
50 - 90 | 70,281 TL | 702,81 TL |
100 - 240 | 67,317 TL | 673,17 TL |
250 - 490 | 64,353 TL | 643,53 TL |
500+ | 40,698 TL | 406,98 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
23 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
117 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
110 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 73 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
9.65mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
4.83mm
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 100V to 150V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.