Infineon IRFH5250DTRPBF N-Kanallı MOSFET Transistör, 100 A, 25 V, 8-Pinli PQFN
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
PQFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.35V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.35V
Maksimum Güç Kaybı
156 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
5mm
Uzunluk
6mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 83 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
0.85mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
231.088,00 TL
57,772 TL Each (On a Reel of 4000) (KDV Hariç)
277.305,60 TL
69,326 TL Each (On a Reel of 4000) KDV Dahil
4000
231.088,00 TL
57,772 TL Each (On a Reel of 4000) (KDV Hariç)
277.305,60 TL
69,326 TL Each (On a Reel of 4000) KDV Dahil
4000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
100 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
25 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
PQFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.2 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.35V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.35V
Maksimum Güç Kaybı
156 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
5mm
Uzunluk
6mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 83 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
0.85mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 12V to 25V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products