Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
79 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
PQFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.35V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.35V
Maksimum Güç Kaybı
46 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
5mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
15 V'de 41 nC
Yükseklik
0.85mm
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
382,80 TL
38,28 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
459,36 TL
45,936 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
382,80 TL
38,28 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
459,36 TL
45,936 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 38,28 TL | 382,80 TL |
| 50 - 90 | 36,366 TL | 363,66 TL |
| 100 - 240 | 32,77 TL | 327,70 TL |
| 250 - 490 | 29,464 TL | 294,64 TL |
| 500+ | 27,956 TL | 279,56 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
79 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
PQFN
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
6.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.35V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.35V
Maksimum Güç Kaybı
46 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
5mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
15 V'de 41 nC
Yükseklik
0.85mm
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


