N-Channel MOSFET, 2.7 A, 55 V, 3 + Tab-Pin SOT-223 Infineon IRFL014NPBF
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3 + Tab
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
160 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
2,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
3.7mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
6.7mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
1.7mm
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
2.148,32 TL
26,854 TL Each (In a Tube of 80) (KDV Hariç)
2.577,98 TL
32,225 TL Each (In a Tube of 80) KDV Dahil
80
2.148,32 TL
26,854 TL Each (In a Tube of 80) (KDV Hariç)
2.577,98 TL
32,225 TL Each (In a Tube of 80) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
80
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3 + Tab
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
160 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
2,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
3.7mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
6.7mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
1.7mm
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products