Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
42 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
TO-247AC
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
36 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
160 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.13mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 110 nC
Genişlik
5.2mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Series
HEXFET
Yükseklik
21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
1.415,20 TL
70,76 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
1.698,24 TL
84,912 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Standart
20
1.415,20 TL
70,76 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
1.698,24 TL
84,912 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
20
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 20 - 20 | 70,76 TL | 1.415,20 TL |
| 40 - 80 | 56,608 TL | 1.132,16 TL |
| 100 - 180 | 53,766 TL | 1.075,32 TL |
| 200 - 480 | 50,982 TL | 1.019,64 TL |
| 500+ | 48,836 TL | 976,72 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
42 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Paket Tipi
TO-247AC
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
36 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
160 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.13mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 110 nC
Genişlik
5.2mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Series
HEXFET
Yükseklik
21.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


