Infineon IRFR4510TRPBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 63 A, 100 V, 3-Pinli DPAK (TO-252)

Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
63 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
13.9 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
143 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 54 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
7.49mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
633,36 TL
63,336 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
760,03 TL
76,003 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
633,36 TL
63,336 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
760,03 TL
76,003 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
63 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
13.9 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
143 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 54 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
7.49mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 100V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

