Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
18 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
110 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
57 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 32 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
3.260,40 TL
32,604 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
3.912,48 TL
39,125 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
3.260,40 TL
32,604 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
3.912,48 TL
39,125 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
100 - 180 | 32,604 TL | 652,08 TL |
200 - 480 | 31,252 TL | 625,04 TL |
500 - 980 | 29,172 TL | 583,44 TL |
1000+ | 27,456 TL | 549,12 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
18 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
110 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
57 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 32 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.