Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
11 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
175 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
38 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 19 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Genişlik
6.22mm
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Yükseklik
2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
791,12 TL
39,556 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
949,34 TL
47,467 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Standart
20
791,12 TL
39,556 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
949,34 TL
47,467 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
20
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 39,556 TL | 791,12 TL |
| 100 - 180 | 30,856 TL | 617,12 TL |
| 200 - 480 | 28,884 TL | 577,68 TL |
| 500 - 980 | 26,854 TL | 537,08 TL |
| 1000+ | 24,998 TL | 499,96 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
11 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
175 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
38 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 19 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Genişlik
6.22mm
İleri Diyot Gerilimi
1.6V
Yükseklik
2.39mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 40V to 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


