Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
43 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
15.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
71 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
9.65mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 22 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Yükseklik
4.83mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
529,54 TL
52,954 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
635,45 TL
63,545 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10
529,54 TL
52,954 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
635,45 TL
63,545 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 52,954 TL | 529,54 TL |
| 50 - 90 | 50,286 TL | 502,86 TL |
| 100 - 240 | 48,14 TL | 481,40 TL |
| 250 - 490 | 46,052 TL | 460,52 TL |
| 500+ | 29,116 TL | 291,16 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
43 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
15.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Maksimum Güç Kaybı
71 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
9.65mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 22 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Yükseklik
4.83mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


