Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
96 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Transistör Sayısı
1
Maksimum Güç Kaybı
330 W
Yapılandırma
Tek
Paket Tipi
TO-247AC
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.9 x 5.3 x 20.3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Kapı Kapasitansı
3025pF
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.
222,58 TL
222,58 TL Each (KDV Hariç)
267,10 TL
267,10 TL Each KDV Dahil
1

222,58 TL
222,58 TL Each (KDV Hariç)
267,10 TL
267,10 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
InfineonMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
96 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Transistör Sayısı
1
Maksimum Güç Kaybı
330 W
Yapılandırma
Tek
Paket Tipi
TO-247AC
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
15.9 x 5.3 x 20.3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Kapı Kapasitansı
3025pF
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Co-Pack IGBT over 21A, Infineon
Isolated Gate Bipolar Transistors (IGBT) from Infineon provide the iser with a comprehensive range of options to ensure your appplication is covered. High effiency ratings enable this range of IGBTs to be used in a wide variety of applications and can support various switching frequencies thanks to low switching losses.
IGBT Transistors, International Rectifier
International Rectifier offers an extensive IGBT (Insulated-Gate Bipolar Transistor) portfolio ranging from 300V to 1200V based on various technologies that minimize switching and conduction losses to increase efficiency, reduce thermal problems and improve power density. The company also offers a broad range of IGBT dies designed specifically for medium- to high-power modules. For modules that demand the highest reliability, solderable front metal (SFM) dies can be employed to eliminate bond wires and allow double-sided cooling for improved thermal performance, reliability and efficiency.