Infineon IRLL2705TRPBF N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 5,2 A, 55 V, 3+Tab-Pinli SOT-223

Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
5,2 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
65 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Genişlik
3.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.7mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 32 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.739mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
4.964,80 TL
24,824 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
5.957,76 TL
29,789 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Standart
200
4.964,80 TL
24,824 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
5.957,76 TL
29,789 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
200
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
5,2 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOT-223
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
65 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
2,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Genişlik
3.7mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.7mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 32 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.739mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 55V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

