Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
1,3 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 1 nC
Genişlik
1.4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3.04mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.02mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
1.261,40 TL
6,307 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
1.513,68 TL
7,568 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
200

1.261,40 TL
6,307 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
1.513,68 TL
7,568 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
200

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
200 - 480 | 6,307 TL | 126,14 TL |
500 - 980 | 5,936 TL | 118,72 TL |
1000 - 1980 | 5,618 TL | 112,36 TL |
2000+ | 5,088 TL | 101,76 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,7 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
100 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.3V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.3V
Maksimum Güç Kaybı
1,3 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 1 nC
Genişlik
1.4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3.04mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.02mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.