Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
760 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
600 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
540 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
1.4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 3,4 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.02mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Thailand
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Teklif İsteyiniz
Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
3000
Teklif İsteyiniz
Each (On a Reel of 3000) (KDV Hariç)
3000
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
760 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
600 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
540 mW
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
1.4mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3.04mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 3,4 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.02mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
Thailand
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.