Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
4,3 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
12 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
50 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.95V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
1,3 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 10 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3.04mm
Genişlik
1.4mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.02mm
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
15,136 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
18,163 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
15,136 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Hariç
18,163 TL
Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
5
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
5 - 45 | 15,136 TL | 75,68 TL |
50 - 245 | 12,90 TL | 64,50 TL |
250 - 495 | 9,804 TL | 49,02 TL |
500 - 1245 | 8,342 TL | 41,71 TL |
1250+ | 6,794 TL | 33,97 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
4,3 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
12 V
Seri
HEXFET
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
50 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.95V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
1,3 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-8 V, +8 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
5 V'de 10 nC
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3.04mm
Genişlik
1.4mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.02mm
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.