Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,4 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
Micro6
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
325 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,7 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7,2 nC
Genişlik
1.75mm
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.3mm
Menşe
Thailand
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
1.148,40 TL
22,968 TL Each (In a Pack of 50) (KDV Hariç)
1.378,08 TL
27,562 TL Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
Standart
50
1.148,40 TL
22,968 TL Each (In a Pack of 50) (KDV Hariç)
1.378,08 TL
27,562 TL Each (In a Pack of 50) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 50 - 200 | 22,968 TL | 1.148,40 TL |
| 250 - 700 | 13,05 TL | 652,50 TL |
| 750 - 1450 | 11,542 TL | 577,10 TL |
| 1500 - 2950 | 10,092 TL | 504,60 TL |
| 3000+ | 8,584 TL | 429,20 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,4 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
Micro6
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
325 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1,7 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7,2 nC
Genişlik
1.75mm
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.3mm
Menşe
Thailand
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 30V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


