Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,4 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
Micro6
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
375 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.7V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.7V
Maksimum Güç Kaybı
1,7 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 5,8 nC
Genişlik
1.75mm
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.3mm
Menşe
Thailand
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
2.711,50 TL
10,846 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
3.253,80 TL
13,015 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
250
2.711,50 TL
10,846 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
3.253,80 TL
13,015 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
250
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
---|---|---|
250 - 450 | 10,846 TL | 542,30 TL |
500 - 1200 | 9,802 TL | 490,10 TL |
1250 - 2450 | 8,816 TL | 440,80 TL |
2500+ | 8,352 TL | 417,60 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
2,4 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
Micro6
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
375 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.7V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.7V
Maksimum Güç Kaybı
1,7 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 5,8 nC
Genişlik
1.75mm
Series
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.3mm
Menşe
Thailand
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.