Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
270 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Series
HEXFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
380 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 91 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
4.83mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
9.65mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
Standart
2
Teklif İsteyiniz
Each (In a Pack of 2) (KDV Hariç)
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
2
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
270 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
D2PAK (TO-263)
Series
HEXFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
2.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
380 W
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-16 V, +16 V
Uzunluk
10.67mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 91 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Genişlik
4.83mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
9.65mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.3V
Ürün Ayrıntıları
N-Channel Power MOSFET 60V to 80V, Infineon
The Infineon range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes N-channel devices in surface mount and leaded packages. And form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


