Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
6.9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
TSOP-6
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
55 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
1.75mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 12 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
448,92 TL
14,964 TL Each (In a Pack of 30) (KDV Hariç)
538,70 TL
17,957 TL Each (In a Pack of 30) KDV Dahil
Standart
30
448,92 TL
14,964 TL Each (In a Pack of 30) (KDV Hariç)
538,70 TL
17,957 TL Each (In a Pack of 30) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
30
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
6.9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Series
HEXFET
Paket Tipi
TSOP-6
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
55 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Genişlik
1.75mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 12 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


