Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
6,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
TSOP-6
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
55 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 12 nC
Genişlik
1.75mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.3mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
11,825 TL
Each (In a Pack of 30) KDV Hariç
14,19 TL
Each (In a Pack of 30) KDV Dahil
30
11,825 TL
Each (In a Pack of 30) KDV Hariç
14,19 TL
Each (In a Pack of 30) KDV Dahil
30
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
30 - 120 | 11,825 TL | 354,75 TL |
150 - 270 | 9,116 TL | 273,48 TL |
300 - 720 | 8,514 TL | 255,42 TL |
750 - 1470 | 7,912 TL | 237,36 TL |
1500+ | 5,332 TL | 159,96 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
6,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
20 V
Paket Tipi
TSOP-6
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
6
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
55 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
1.1V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
0.4V
Maksimum Güç Kaybı
2 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-12 V, +12 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
4,5 V'de 12 nC
Genişlik
1.75mm
Transistör Malzemesi
Si
Seri
HEXFET
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
1.3mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
P-Channel Power MOSFET 12V to 20V, Infineon
Infineon's range of discrete HEXFET® power MOSFETs includes P-channel devices in surface mount and leaded packages and form factors that can address almost any board layout and thermal design challenge. Across the range benchmark on resistance drives down conduction losses, allowing designers to deliver optimum system efficiency.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.