Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
8,8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
SIPMOS
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
42 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
2.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.55V
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
2.557,80 TL
25,578 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
3.069,36 TL
30,694 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100

2.557,80 TL
25,578 TL Each (Supplied on a Reel) (KDV Hariç)
3.069,36 TL
30,694 TL Each (Supplied on a Reel) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Üretime Uygun Paketleme (Makara)
100

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Makara |
|---|---|---|
| 100 - 240 | 25,578 TL | 255,78 TL |
| 250 - 490 | 24,534 TL | 245,34 TL |
| 500 - 990 | 23,432 TL | 234,32 TL |
| 1000+ | 21,808 TL | 218,08 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Infineonİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
8,8 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Series
SIPMOS
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
300 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.1V
Maksimum Güç Kaybı
42 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 10 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
6.5mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
2.3mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.55V
Otomotiv Standardı
AEC-Q101
Ürün Ayrıntıları
Infineon SIPMOS® P-Channel MOSFETs
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range. The SIPMOS Power transistor can be used in a variety of applications including Telecom, eMobility, Notebooks, DC/DC devices as well as the automotive industry.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.


