Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
170 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
9 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
714 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 198 nC
Genişlik
5.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.26mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
21.46mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1

Teklif İsteyiniz
Üretime Uygun Paketleme (Tüp)
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
170 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
9 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
714 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 198 nC
Genişlik
5.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.26mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yükseklik
21.46mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS