IXYS IXFH170N10P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 170 A, 100 V, 3-Pinli TO-247
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
170 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Seri
HiperFET, Polar
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
9 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
714 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
5.3mm
Uzunluk
16.26mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 198 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
21.46mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
11.720,28 TL
390,676 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
14.064,34 TL
468,811 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
11.720,28 TL
390,676 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
14.064,34 TL
468,811 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
170 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
100 V
Seri
HiperFET, Polar
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
9 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
714 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
5.3mm
Uzunluk
16.26mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 198 nC
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
21.46mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products