Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
34 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Seri
HiperFET, Polar3
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
175 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
695 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
5.3mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
16.26mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 60 nC
Yükseklik
21.46mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
30
P.O.A.
30
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
34 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Seri
HiperFET, Polar3
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
175 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
695 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
5.3mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
16.26mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 60 nC
Yükseklik
21.46mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar3™ Series
A range of IXYS Polar3™ series N-channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS