IXYS IXFH44N50P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 44 A, 500 V, 3-Pinli TO-247AD

Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
44 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
TO-247AD
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
650 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 98 nC
Genişlik
5.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.26mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
21.46mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
571,21 TL
571,21 TL Each (KDV Hariç)
685,45 TL
685,45 TL Each KDV Dahil
Standart
1

571,21 TL
571,21 TL Each (KDV Hariç)
685,45 TL
685,45 TL Each KDV Dahil
Standart
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 5 | 571,21 TL |
6 - 14 | 491,83 TL |
15+ | 468,61 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
44 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
TO-247AD
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
650 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 98 nC
Genişlik
5.3mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
16.26mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
21.46mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS