Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
44 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Seri
HiperFET, Q3-Class
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
6.5V
Maksimum Güç Kaybı
830 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
16.26mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 93 nC
Genişlik
5.3mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
16.26mm
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
666,672 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
800,006 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
666,672 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Hariç
800,006 TL
Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
44 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Seri
HiperFET, Q3-Class
Paket Tipi
TO-247
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
6.5V
Maksimum Güç Kaybı
830 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
16.26mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 93 nC
Genişlik
5.3mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
16.26mm
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q3 Series
The IXYS Q3 class of HiperFET™ Power MOSFETs are suitable for both hard switching and resonant mode applications, and offer low gate charge with exceptional ruggedness. The devices incorporate a fast intrinsic diode and are available in a variety of industry-standard packages including isolated types, with ratings of up to 1100V and 70A. Typical applications include DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC Choppers, temperature and lighting control.
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS