Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
27 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
800 V
Series
HiperFET, Q-Class
Paket Tipi
TO-264AA
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
320 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4.5V
Maksimum Güç Kaybı
500 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
5.13mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
19.96mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 170 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
26.16mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
31.219,65 TL
1.248,786 TL Each (In a Tube of 25) (KDV Hariç)
37.463,58 TL
1.498,543 TL Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
31.219,65 TL
1.248,786 TL Each (In a Tube of 25) (KDV Hariç)
37.463,58 TL
1.498,543 TL Each (In a Tube of 25) KDV Dahil
25
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
27 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
800 V
Series
HiperFET, Q-Class
Paket Tipi
TO-264AA
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
320 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
4.5V
Maksimum Güç Kaybı
500 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
5.13mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
19.96mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 170 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
26.16mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Q Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™)
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS