IXYS IXFN102N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 86 A, 300 V, 4-Pinli SOT-227B

Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
86 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
300 V
Seri
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
33 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
570 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 224 nC
Genişlik
25.42mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
38.23mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.6mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
1.176,66 TL
1.176,66 TL Each (KDV Hariç)
1.411,99 TL
1.411,99 TL Each KDV Dahil
Standart
1

1.176,66 TL
1.176,66 TL Each (KDV Hariç)
1.411,99 TL
1.411,99 TL Each KDV Dahil
Standart
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat |
---|---|
1 - 1 | 1.176,66 TL |
2 - 4 | 1.118,42 TL |
5+ | 1.060,18 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
86 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
300 V
Seri
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
33 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
570 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 224 nC
Genişlik
25.42mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
38.23mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.6mm
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS