IXYS IXFN102N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 86 A, 300 V, 4-Pinli SOT-227B

RS Stok Numarası: 193-464Marka: IXYSÜretici Parça Numarası: IXFN102N30PDistrelec Article No.: 30253358
brand-logo
MOSFET'ler kategorisindeki tüm ürünleri gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

IXYS

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

86 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

300 V

Paket Tipi

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Montaj Tipi

Vida Montajı

Pim Sayısı

4

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

33 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

5V

Maksimum Güç Kaybı

570 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Uzunluk

38.23mm

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Genişlik

25.42mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 224 nC

Yükseklik

9.6mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ürün Ayrıntıları

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

1.204,63 TL

1.204,63 TL Each (KDV Hariç)

1.445,56 TL

1.445,56 TL Each KDV Dahil

IXYS IXFN102N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 86 A, 300 V, 4-Pinli SOT-227B
Paketlenme türü seçiniz

Standart

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
11.204,63 TL
22.290,46 TL
33.435,70 TL
44.580,93 TL
55.426,46 TL
66.511,75 TL
77.597,04 TL
88.682,34 TL
99.767,63 TL
1010.852,92 TL
1111.938,21 TL
1213.023,50 TL
1314.108,80 TL
1415.194,09 TL
1516.279,38 TL
sticker-359

1.204,63 TL

1.204,63 TL Each (KDV Hariç)

1.445,56 TL

1.445,56 TL Each KDV Dahil

IXYS IXFN102N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 86 A, 300 V, 4-Pinli SOT-227B
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Paketlenme türü seçiniz

Standart

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
11.204,63 TL
22.290,46 TL
33.435,70 TL
44.580,93 TL
55.426,46 TL
66.511,75 TL
77.597,04 TL
88.682,34 TL
99.767,63 TL
1010.852,92 TL
1111.938,21 TL
1213.023,50 TL
1314.108,80 TL
1415.194,09 TL
1516.279,38 TL
sticker-359

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

MiktarBirim Fiyat
1 - 11.204,63 TL
2 - 41.145,23 TL
5+1.085,29 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

IXYS

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

86 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

300 V

Paket Tipi

SOT-227

Series

HiperFET, Polar

Montaj Tipi

Vida Montajı

Pim Sayısı

4

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

33 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

5V

Maksimum Güç Kaybı

570 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Uzunluk

38.23mm

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Genişlik

25.42mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 224 nC

Yükseklik

9.6mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ürün Ayrıntıları

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more