IXYS IXFN140N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 115 A, 300 V, 4-Pinli SOT-227B

RS Stok Numarası: 193-739Marka: IXYSÜretici Parça Numarası: IXFN140N30PDistrelec Article No.: 30253363
brand-logo
MOSFET'ler kategorisindeki tüm ürünleri gör

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

IXYS

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

115 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

300 V

Paket Tipi

SOT-227

Seri

HiperFET, Polar

Montaj Tipi

Vida Montajı

Pim Sayısı

4

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

24 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

5V

Maksimum Güç Kaybı

700 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Uzunluk

38.2mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 185 nC

Genişlik

25.07mm

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Yükseklik

9.6mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ürün Ayrıntıları

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

1.522,98 TL

1.522,98 TL Each (KDV Hariç)

1.827,58 TL

1.827,58 TL Each KDV Dahil

IXYS IXFN140N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 115 A, 300 V, 4-Pinli SOT-227B
Paketlenme türü seçiniz

Standart

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
11.522,98 TL
22.985,63 TL
34.478,45 TL
45.971,26 TL
57.235,28 TL
68.682,34 TL
710.129,39 TL
811.576,45 TL
913.023,50 TL
1014.470,56 TL
1115.917,62 TL
1217.364,67 TL
1318.811,73 TL
1420.258,78 TL
1521.705,84 TL
sticker-359

1.522,98 TL

1.522,98 TL Each (KDV Hariç)

1.827,58 TL

1.827,58 TL Each KDV Dahil

IXYS IXFN140N30P N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 115 A, 300 V, 4-Pinli SOT-227B
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Paketlenme türü seçiniz

Standart

Paketlenme türü seçiniz

Standart - each

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Üretim -

Katlarında sipariş edilebilir 1.

Yüksek adetlerde sipariş edilmesi önerilir. Ürünler üretim verimliliğinizin artması için üretime uygun olarak paketlenecektir.

1

Katlarında sipariş edilebilir 1
11.522,98 TL
22.985,63 TL
34.478,45 TL
45.971,26 TL
57.235,28 TL
68.682,34 TL
710.129,39 TL
811.576,45 TL
913.023,50 TL
1014.470,56 TL
1115.917,62 TL
1217.364,67 TL
1318.811,73 TL
1420.258,78 TL
1521.705,84 TL
sticker-359

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

MiktarBirim Fiyat
1 - 11.522,98 TL
2 - 41.492,82 TL
5+1.447,06 TL

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Marka

IXYS

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

115 A

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

300 V

Paket Tipi

SOT-227

Seri

HiperFET, Polar

Montaj Tipi

Vida Montajı

Pim Sayısı

4

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

24 mΩ

Kanal Modu

Artırma

Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi

5V

Maksimum Güç Kaybı

700 W

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-20 V, +20 V

Uzunluk

38.2mm

Vgs'de Tipik Kapak Şarjı

10 V'de 185 nC

Genişlik

25.07mm

Transistör Malzemesi

Si

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+150°C

Yükseklik

9.6mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Ürün Ayrıntıları

N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series

N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more