IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 115 A, 300 V, 4-Pin SOT-227 IXFN140N30P
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
115 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
300 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
24 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
700 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
25.07mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
38.2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 185 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.6mm
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
15.706,98 TL
1.570,698 TL Each (In a Tube of 10) (KDV Hariç)
18.848,38 TL
1.884,838 TL Each (In a Tube of 10) KDV Dahil
10
15.706,98 TL
1.570,698 TL Each (In a Tube of 10) (KDV Hariç)
18.848,38 TL
1.884,838 TL Each (In a Tube of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
115 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
300 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
24 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
700 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
25.07mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
38.2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 185 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Yükseklik
9.6mm
Menşe
United States
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products