Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
40 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Maksimum Güç Kaybı
625 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Uzunluk
38.23mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 150 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
25.42mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
9.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
11.928,86 TL
1.192,886 TL Each (In a Tube of 10) (KDV Hariç)
14.314,63 TL
1.431,463 TL Each (In a Tube of 10) KDV Dahil
10
11.928,86 TL
1.192,886 TL Each (In a Tube of 10) (KDV Hariç)
14.314,63 TL
1.431,463 TL Each (In a Tube of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
40 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Maksimum Güç Kaybı
625 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Uzunluk
38.23mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 150 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
25.42mm
Transistör Malzemesi
Si
Yükseklik
9.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS