IXYS HiperFET, Polar N-Channel MOSFET, 40 A, 600 V, 4-Pin SOT-227 IXFN48N60P
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
40 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Maksimum Güç Kaybı
625 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
25.42mm
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
38.23mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 150 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
9.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
10.519,97 TL
1.051,997 TL Each (In a Tube of 10) (KDV Hariç)
12.623,96 TL
1.262,396 TL Each (In a Tube of 10) KDV Dahil
10
10.519,97 TL
1.051,997 TL Each (In a Tube of 10) (KDV Hariç)
12.623,96 TL
1.262,396 TL Each (In a Tube of 10) KDV Dahil
10
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
40 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Series
HiperFET, Polar
Paket Tipi
SOT-227
Montaj Tipi
Vida Montajı
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
140 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5.5V
Maksimum Güç Kaybı
625 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Genişlik
25.42mm
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
38.23mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 150 nC
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Yükseklik
9.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ Polar™ Series
N-Channel Power MOSFETs with Fast Intrinsic Diode (HiPerFET™) from IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products