Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
50 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Paket Tipi
TO-268
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.05 x 14 x 5.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
886,24 TL
886,24 TL Each (KDV Hariç)
1.063,49 TL
1.063,49 TL Each KDV Dahil
1

886,24 TL
886,24 TL Each (KDV Hariç)
1.063,49 TL
1.063,49 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
50 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Paket Tipi
TO-268
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.05 x 14 x 5.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


