IXXH80N65B4H1 IXYS IGBT, 430 A, 650 V, 3-Pinli TO-247AD
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
430 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
650 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
625 W
Transistör Sayısı
1
Paket Tipi
TO-247AD
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
5 → 30kHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.34mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
5.2mJ
Menşe
Philippines
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
14.826,24 TL
494,208 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
17.791,49 TL
593,05 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
14.826,24 TL
494,208 TL Each (In a Tube of 30) (KDV Hariç)
17.791,49 TL
593,05 TL Each (In a Tube of 30) KDV Dahil
30
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
430 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
650 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Maksimum Güç Kaybı
625 W
Transistör Sayısı
1
Paket Tipi
TO-247AD
Montaj Tipi
Açık Delik
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
3
Anahtarlama Hızı
5 → 30kHz
Transistör Yapılandırması
Tek
Boyutlar
16.13 x 5.21 x 21.34mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Enerji Değeri
5.2mJ
Menşe
Philippines
Ürün Ayrıntıları
IGBT Discretes, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products