IXYS MMIX1T550N055T2 N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 550 A, 55 V, 24-Pinli SMPD
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
550 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
SMPD
Series
GigaMOS, HiperFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
24
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.8V
Maksimum Güç Kaybı
830 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
23.25mm
Uzunluk
25.25mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 595 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
5.7mm
Menşe
Germany
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
35.651,88 TL
1.782,594 TL Each (In a Tube of 20) (KDV Hariç)
42.782,26 TL
2.139,113 TL Each (In a Tube of 20) KDV Dahil
20
35.651,88 TL
1.782,594 TL Each (In a Tube of 20) (KDV Hariç)
42.782,26 TL
2.139,113 TL Each (In a Tube of 20) KDV Dahil
20
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
550 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
55 V
Paket Tipi
SMPD
Series
GigaMOS, HiperFET
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
24
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1.3 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.8V
Maksimum Güç Kaybı
830 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Transistör Malzemesi
Si
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+175°C
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Genişlik
23.25mm
Uzunluk
25.25mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 595 nC
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.2V
Yükseklik
5.7mm
Menşe
Germany
Ürün Ayrıntıları
N-channel Power MOSFET, IXYS HiperFET™ GigaMOS™ Series
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products