Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
19 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Yapılandırma
3 Fazlı Köprü
Montaj Tipi
PCB Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
25
Transistör Yapılandırması
3 Fazlı
Boyutlar
82 x 37.4 x 17.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
2.569,47 TL
2.569,47 TL Each (KDV Hariç)
3.083,36 TL
3.083,36 TL Each KDV Dahil
1

2.569,47 TL
2.569,47 TL Each (KDV Hariç)
3.083,36 TL
3.083,36 TL Each KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
1

| Miktar | Birim Fiyat |
|---|---|
| 1 - 1 | 2.569,47 TL |
| 2 - 4 | 2.129,15 TL |
| 5 - 9 | 2.024,83 TL |
| 10 - 19 | 1.946,11 TL |
| 20+ | 1.897,47 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
19 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
1200 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Yapılandırma
3 Fazlı Köprü
Montaj Tipi
PCB Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
25
Transistör Yapılandırması
3 Fazlı
Boyutlar
82 x 37.4 x 17.1mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.


