Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
75 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Yapılandırma
3 Fazlı Köprü
Montaj Tipi
PCB Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
23
Transistör Yapılandırması
3 Fazlı
Boyutlar
107.5 x 45 x 17mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
2.430,016 TL
Each (In a Box of 6) KDV Hariç
2.916,019 TL
Each (In a Box of 6) KDV Dahil
6
2.430,016 TL
Each (In a Box of 6) KDV Hariç
2.916,019 TL
Each (In a Box of 6) KDV Dahil
6
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Kutu |
---|---|---|
6 - 24 | 2.430,016 TL | 14.580,10 TL |
30 - 54 | 2.249,932 TL | 13.499,59 TL |
60+ | 2.175,757 TL | 13.054,54 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
IXYSMaksimum Sürekli Kollektör Akımı
75 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
600 V
Maksimum Kapı Emitör Gerilimi
±20V
Yapılandırma
3 Fazlı Köprü
Montaj Tipi
PCB Montajı
İletken Tipi
N
Pim Sayısı
23
Transistör Yapılandırması
3 Fazlı
Boyutlar
107.5 x 45 x 17mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-40°C
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+125°C
Ürün Ayrıntıları
IGBT Modules, IXYS
IGBT Discretes & Modules, IXYS
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.