NGB8207BNT4G Littlefuse IGBT, 20 A, 365 V, 3-Pinli D2PAK

RS Stok Numarası: 805-1756Marka: LittelfuseÜretici Parça Numarası: NGB8207BNT4G
brand-logo
View all in IGBT'ler

Teknik Belgeler

Özellikler

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı

20 A

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi

365 V

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi

±15V

Maksimum Güç Kaybı

165 W

Paket Tipi

D2PAK (TO-263)

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

İletken Tipi

N

Pim Sayısı

3

Transistör Yapılandırması

Tek

Boyutlar

10.29 x 9.65 x 4.83mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Ürün Ayrıntıları

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

P.O.A.

NGB8207BNT4G Littlefuse IGBT, 20 A, 365 V, 3-Pinli D2PAK
Paketlenme türü seçiniz

P.O.A.

NGB8207BNT4G Littlefuse IGBT, 20 A, 365 V, 3-Pinli D2PAK
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Paketlenme türü seçiniz

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

Maksimum Sürekli Kollektör Akımı

20 A

Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi

365 V

Maksimum Kapı Emitör Gerilimi

±15V

Maksimum Güç Kaybı

165 W

Paket Tipi

D2PAK (TO-263)

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

İletken Tipi

N

Pim Sayısı

3

Transistör Yapılandırması

Tek

Boyutlar

10.29 x 9.65 x 4.83mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-55°C

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+175°C

Ürün Ayrıntıları

IGBT Discretes, ON Semiconductor

Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBT) for motor drive and other high current switching applications.

IGBT Discretes, ON Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more