Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
MagnaChipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4.5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
42 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 6,7 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.4V
Yükseklik
2.39mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
MagnaChipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
1,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
600 V
Paket Tipi
DPAK (TO-252)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
4.5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
5V
Maksimum Güç Kaybı
42 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
6.73mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 6,7 nC
Genişlik
6.22mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.4V
Yükseklik
2.39mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
High Voltage (HV) MOSFET
High Voltage, N-Channel MOSFET, with low on-state resistance and high switching performance.