Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
MagnaChipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
11,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
27.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.7V
Maksimum Güç Kaybı
4,7 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
4.9mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7,3 nC
Genişlik
3.9mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Yükseklik
1.5mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
P.O.A.
25
P.O.A.
25
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
MagnaChipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
11,9 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
27.8 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.7V
Maksimum Güç Kaybı
4,7 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
4.9mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7,3 nC
Genişlik
3.9mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Yükseklik
1.5mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.