Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
MagnaChipİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
14.5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 38,4 nC
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
1.5mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
9,46 TL
Each (On a Reel of 25) KDV Hariç
11,352 TL
Each (On a Reel of 25) KDV Dahil
25
9,46 TL
Each (On a Reel of 25) KDV Hariç
11,352 TL
Each (On a Reel of 25) KDV Dahil
25
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
MagnaChipİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
12 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOIC
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
14.5 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
2,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-25 V, +25 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 38,4 nC
Genişlik
4mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1V
Yükseklik
1.5mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.