Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
MagnaChipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
29 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
PowerDFN33
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
23.7 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.7V
Maksimum Güç Kaybı
23,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3.2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7,9 nC
Genişlik
3.2mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Yükseklik
0.8mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.
MOSFET Transistors, MagnaChip
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
2,193 TL
Each (On a Reel of 25) KDV Hariç
2,632 TL
Each (On a Reel of 25) KDV Dahil
25
2,193 TL
Each (On a Reel of 25) KDV Hariç
2,632 TL
Each (On a Reel of 25) KDV Dahil
25
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
MagnaChipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
29 A
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
30 V
Paket Tipi
PowerDFN33
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
8
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
23.7 mΩ
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.7V
Maksimum Güç Kaybı
23,5 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
3.2mm
Vgs'de Tipik Kapak Şarjı
10 V'de 7,9 nC
Genişlik
3.2mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.1V
Yükseklik
0.8mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Voltage (LV) MOSFET
These low voltage (LV) MOSFET provide low on-state resistance and fast switching performance.