Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Microchipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
230 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-92
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
7.5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5.08mm
Genişlik
4.06mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.5V
Yükseklik
5.33mm
Ürün Ayrıntıları
2N7008 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip 2N7008 is an enhancement-mode (normally off) transistor that utilises a vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.
MOSFET Transistors, Microchip
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
19,264 TL
Each (In a Pack of 25) KDV Hariç
23,117 TL
Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
25
19,264 TL
Each (In a Pack of 25) KDV Hariç
23,117 TL
Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
25
Toptan Satın Al
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
25 - 75 | 19,264 TL | 481,60 TL |
100+ | 17,458 TL | 436,45 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Microchipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
230 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-92
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
7.5 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
2.5V
Minimum Kapı Eşiği Gerilimi
1V
Maksimum Güç Kaybı
1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-30 V, +30 V
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Uzunluk
5.08mm
Genişlik
4.06mm
Transistör Malzemesi
Si
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
1.5V
Yükseklik
5.33mm
Ürün Ayrıntıları
2N7008 N-Channel MOSFET Transistors
The Microchip 2N7008 is an enhancement-mode (normally off) transistor that utilises a vertical DMOS structure. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.