Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Microchipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
500 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
400 V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
25 Ω
Kanal Modu
Boşaltma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.5V
Maksimum Güç Kaybı
15 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4.826mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.7mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
16.51mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
368,35 TL
73,67 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
442,02 TL
88,404 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
368,35 TL
73,67 TL Each (In a Pack of 5) (KDV Hariç)
442,02 TL
88,404 TL Each (In a Pack of 5) KDV Dahil
Standart
5
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
5 - 20 | 73,67 TL | 368,35 TL |
25 - 95 | 71,656 TL | 358,28 TL |
100+ | 69,006 TL | 345,03 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Microchipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
500 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
400 V
Paket Tipi
TO-220
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
25 Ω
Kanal Modu
Boşaltma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.5V
Maksimum Güç Kaybı
15 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4.826mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
10.7mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
16.51mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.