Microchip LND01K1-G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 330 mA, 9 V, Boşaltma, 5-Pinli SOT-23

RS Stok Numarası: 178-5338Marka: MicrochipÜretici Parça Numarası: LND01K1-G
brand-logo
View all in MOSFET'ler

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

330 mA

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

9 V

Paket Tipi

SOT-23

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

5

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

1.4 Ω

Kanal Modu

Boşaltma

Maksimum Güç Kaybı

360 mW

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-12 V, +0,6 V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+125°C

Transistör Malzemesi

Si

Uzunluk

3.05mm

Genişlik

1.75mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Yükseklik

1.3mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Ürün Ayrıntıları

LND01 N-Channel MOSFET Transistors

The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.

MOSFET Transistors, Microchip

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

P.O.A.

Microchip LND01K1-G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 330 mA, 9 V, Boşaltma, 5-Pinli SOT-23

P.O.A.

Microchip LND01K1-G N-Kanallı Si MOSFET Transistör, 330 mA, 9 V, Boşaltma, 5-Pinli SOT-23
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.

Ideate. Create. Collaborate

JOIN FOR FREE

No hidden fees!

design-spark
design-spark
  • Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
  • View and contribute website content and forums
  • Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Click here to find out more

Teknik Belgeler

Özellikler

İletken Tipi

N

Maksimum Sürekli Tahliye Akımı

330 mA

Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi

9 V

Paket Tipi

SOT-23

Montaj Tipi

Yüzeye Monte

Pim Sayısı

5

Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci

1.4 Ω

Kanal Modu

Boşaltma

Maksimum Güç Kaybı

360 mW

Transistör Yapılandırması

Tek

Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi

-12 V, +0,6 V

Maksimum Çalışma Sıcaklığı

+125°C

Transistör Malzemesi

Si

Uzunluk

3.05mm

Genişlik

1.75mm

Yonga Başına Eleman Sayısı

1

Yükseklik

1.3mm

Minimum Çalışma Sıcaklığı

-25°C

Ürün Ayrıntıları

LND01 N-Channel MOSFET Transistors

The Microchip LND01 is a low threshold, depletion mode (normally on) MOSFET transistor. The design combines the power handling capabilities of a Bipolar Transistor with the high input impedance and positive temperature coefficient of MOS devices.

MOSFET Transistors, Microchip