Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Microchipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
30 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Paket Tipi
TO-243AA
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1 kΩ
Kanal Modu
Boşaltma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
1,6 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
2.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
4.6mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
759,24 TL
37,962 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
911,09 TL
45,554 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
20
759,24 TL
37,962 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
911,09 TL
45,554 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
20
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
20 - 20 | 37,962 TL | 759,24 TL |
40 - 80 | 36,081 TL | 721,62 TL |
100+ | 33,231 TL | 664,62 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Microchipİletken Tipi
N
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
30 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
500 V
Paket Tipi
TO-243AA
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Pim Sayısı
4
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
1 kΩ
Kanal Modu
Boşaltma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3V
Maksimum Güç Kaybı
1,6 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
2.6mm
Transistör Malzemesi
Si
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Uzunluk
4.6mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Yükseklik
1.6mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
Ürün Ayrıntıları
Supertex N-Channel Depletion Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of N-channel depletion-mode DMOS FET transistors from Microchip are suited to applications requiring high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.