Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Microchipİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
250 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-92
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
15 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.5V
Maksimum Güç Kaybı
1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4.06mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5.08mm
Yükseklik
5.33mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
2V
Menşe
Philippines
Ürün Ayrıntıları
Supertex P-Channel Enhancement Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of P-channel enhancement-mode (normally-off) DMOS FET transistors from Microchip are suited to a wide range of switching and amplifying applications requiring a low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.
MOSFET Transistors, Microchip
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Ayrıntılı bilgi için iletşime geçiniz
16,856 TL
Each (In a Bag of 1000) KDV Hariç
20,227 TL
Each (In a Bag of 1000) KDV Dahil
1000
16,856 TL
Each (In a Bag of 1000) KDV Hariç
20,227 TL
Each (In a Bag of 1000) KDV Dahil
1000
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
Microchipİletken Tipi
P
Maksimum Sürekli Tahliye Akımı
250 mA
Maksimum Tahliye Kaynağı Gerilimi
60 V
Paket Tipi
TO-92
Montaj Tipi
Açık Delik
Pim Sayısı
3
Maksimum Tahliye Kaynağı Direnci
15 Ω
Kanal Modu
Artırma
Maksimum Kapı Eşiği Gerilimi
3.5V
Maksimum Güç Kaybı
1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kapı Kaynak Gerilimi
-20 V, +20 V
Genişlik
4.06mm
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Transistör Malzemesi
Si
Uzunluk
5.08mm
Yükseklik
5.33mm
Minimum Çalışma Sıcaklığı
-55°C
İleri Diyot Gerilimi
2V
Menşe
Philippines
Ürün Ayrıntıları
Supertex P-Channel Enhancement Mode MOSFET Transistors
The Supertex range of P-channel enhancement-mode (normally-off) DMOS FET transistors from Microchip are suited to a wide range of switching and amplifying applications requiring a low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance and fast switching speeds.