Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
180 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
300 mW
Minimum DC Akım Kazancı
100
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
400 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
6 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
3 x 1.4 x 1.1mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
492,42 TL
16,414 TL Each (In a Pack of 30) (KDV Hariç)
590,90 TL
19,697 TL Each (In a Pack of 30) KDV Dahil
Standart
30
492,42 TL
16,414 TL Each (In a Pack of 30) (KDV Hariç)
590,90 TL
19,697 TL Each (In a Pack of 30) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
30
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 30 - 30 | 16,414 TL | 492,42 TL |
| 60 - 120 | 8,70 TL | 261,00 TL |
| 150 - 270 | 8,468 TL | 254,04 TL |
| 300 - 570 | 8,236 TL | 247,08 TL |
| 600+ | 8,004 TL | 240,12 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
180 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
300 mW
Minimum DC Akım Kazancı
100
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
400 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
6 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
3 x 1.4 x 1.1mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


