Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
500 mA
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
15 V
Paket Tipi
SSMini
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
200 mW
Minimum DC Akım Kazancı
200
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
15 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
6 V
Maksimum Çalışma Frekansı
280 MHz
Pim Sayısı
6
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Boyutlar
0.6 x 1.7 x 1.3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
169,36 TL
16,936 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
203,23 TL
20,323 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Standart
10

169,36 TL
16,936 TL Each (In a Pack of 10) (KDV Hariç)
203,23 TL
20,323 TL Each (In a Pack of 10) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
10

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 16,936 TL | 169,36 TL |
| 100 - 190 | 8,758 TL | 87,58 TL |
| 200+ | 7,83 TL | 78,30 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
500 mA
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
15 V
Paket Tipi
SSMini
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
200 mW
Minimum DC Akım Kazancı
200
Transistör Yapılandırması
Yalıtılmış
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
15 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
6 V
Maksimum Çalışma Frekansı
280 MHz
Pim Sayısı
6
Yonga Başına Eleman Sayısı
2
Boyutlar
0.6 x 1.7 x 1.3mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


