Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
4,3 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
1,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
20 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
3 x 1.4 x 1.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
334,08 TL
16,704 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
400,90 TL
20,045 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Standart
20
334,08 TL
16,704 TL Each (In a Pack of 20) (KDV Hariç)
400,90 TL
20,045 TL Each (In a Pack of 20) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
20
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
4,3 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
20 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
1,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
20 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
3 x 1.4 x 1.1mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


