Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
2,7 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
60 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
1,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
-60 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
-5 V
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
3 x 1.4 x 1.1mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
838,10 TL
16,762 TL Each (Supplied as a Tape) (KDV Hariç)
1.005,72 TL
20,114 TL Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
Standart
50
838,10 TL
16,762 TL Each (Supplied as a Tape) (KDV Hariç)
1.005,72 TL
20,114 TL Each (Supplied as a Tape) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Standart
50
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
| Miktar | Birim Fiyat | Per Şerit |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 16,762 TL | 838,10 TL |
| 100 - 200 | 9,048 TL | 452,40 TL |
| 250 - 450 | 8,584 TL | 429,20 TL |
| 500 - 950 | 8,004 TL | 400,20 TL |
| 1000+ | 7,83 TL | 391,50 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
PNP
Maksimum DC Kollektör Akımı
2,7 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
60 V
Paket Tipi
SOT-23
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
1,1 W
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
-60 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
-5 V
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Boyutlar
3 x 1.4 x 1.1mm
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage PNP Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage PNP Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.


