Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
480 mW
Minimum DC Akım Kazancı
350
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
40 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
1 x 3 x 1.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.
Bipolar Transistors, Nexperia
192,85 TL
7,714 TL Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
231,42 TL
9,257 TL Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
25

192,85 TL
7,714 TL Each (In a Pack of 25) (KDV Hariç)
231,42 TL
9,257 TL Each (In a Pack of 25) KDV Dahil
Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
25

Stok bilgileri geçici olarak kullanılamıyor.
Miktar | Birim Fiyat | Per Paket |
---|---|---|
25 - 25 | 7,714 TL | 192,85 TL |
50 - 100 | 3,944 TL | 98,60 TL |
125 - 225 | 3,422 TL | 85,55 TL |
250 - 475 | 2,842 TL | 71,05 TL |
500+ | 2,668 TL | 66,70 TL |
Teknik Belgeler
Özellikler
Marka
NexperiaTransistör Tipi
NPN
Maksimum DC Kollektör Akımı
1 A
Maksimum Kollektör Emitör Gerilimi
30 V
Paket Tipi
SOT-23 (TO-236AB)
Montaj Tipi
Yüzeye Monte
Maksimum Güç Kaybı
480 mW
Minimum DC Akım Kazancı
350
Transistör Yapılandırması
Tek
Maksimum Kollektör Taban Gerilimi
40 V
Maksimum Emitör Taban Gerilimi
5 V
Maksimum Çalışma Frekansı
100 MHz
Pim Sayısı
3
Yonga Başına Eleman Sayısı
1
Boyutlar
1 x 3 x 1.4mm
Maksimum Çalışma Sıcaklığı
+150°C
Menşe
China
Ürün Ayrıntıları
Low Saturation Voltage NPN Transistors
A range of NXP BISS (Breakthrough In Small Signal) Low Saturation Voltage NPN Bipolar Junction Transistors. These devices feature very low collector-emitter saturation voltages and high collector current capacities in compact space-saving packages. The reduced losses of these transistors results in lower heat generation and an overall increase in efficiency when used in switching and digital applications.